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BSS192P H6327 /MOSFET P-Ch -250V -190mA SOT-89-3
BSS192P H6327的规格信息
BSS192P H6327的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-89-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:250 V

Id-连续漏极电流:190 mA

Rds On-漏源导通电阻:7.7 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:- 6.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.5 mm

长度:4.5 mm

系列:BSS192

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:2.5 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:190 mS

下降时间:50 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.2 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:72 ns

典型接通延迟时间:4.7 ns

零件号别名:BSS192PH6327FTSA1 SP001047642

供应商BSS192P H6327
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